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院士鄧中翰提案:全力發展半導體產業國產自主替代

  中國工程院院士,中星微電子集團創建人兼首席科學家鄧中翰作為全國政協委員,向兩會進行了提案。其中之一就是全力發展半導體國產自主替代的方案。

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  鄧中翰表示美國商務部陞級了對華為的管制措施,非美國公司只要使用美國的技術、軟體、設備等給華為生產晶片也將受到管制,需先得到美國政府批准。此舉將直接導致華為面臨多種主要晶片的斷供。

  但是,鄧中翰認為“對手不會速勝,我們不會速敗;但我們現在也沒有能力實現速勝,必須堅持積累實力,打持久戰。”

  因此,鄧中翰建議國家推動國有資本更多投向半導體領域,服務國家戰略目標。全力發展半導體國產自主替代的方案。(靜靜)

  以下為鄧中翰兩會提案關於半導體方面的內容:

  近期,美國商務部陞級了對華為的管制措施,非美國公司只要使用美國的技術、軟體、設備等給華為生產晶片也將受到管制,需先得到美國政府批准。此舉將直接導致華為面臨多種主要晶片的斷供。

  一、現狀:對手不會速勝,我們不會速敗;但我們現在也沒有能力實現速勝,必須堅持積累實力,打持久戰

  一直以來,美國實際控制著全球整合電路產業鏈,我國起步較晚,從代工、合資中逐漸學習相關技術,然而多種最尖端前沿的核心技術,包括光刻機、覆蓋薄膜沉積(PVD、CVD等)、離子注入、刻蝕、快速熱處理、去光阻和清洗以及各種場景下使用的晶片自動化設計軟體EDA等,都與美國及其產業聯盟國家有很大的差距。實事求是地說,這種多方面的差距,不是短期內可以僅憑幾個國家支援的攻堅團隊就能追上的,需要幾代人和眾多半導體企業的協同努力。

  但是,我們也可以看到,透過多年的積累,特別是近兩三年從中央到社會公眾對晶片“卡脖子”問題的認識越來越清醒,並大力投資發展國產自主半導體產業,美國已經無法透過出口管制和技術封鎖來徹底消滅中國整合電路產業。而隨著半導體器件的溝道長度接近到原子直徑量級,經典物理規律開始受到量子效應的影響,摩爾定律快要失效,美國的晶片技術領先優勢正面臨坍縮。

  相反,真正導致我國整合電路產業整體進步緩慢的,除了以往的技術封鎖,主要還是國內企業為短期形成產品競爭力,長期採用購買國外尖端晶片或由使用美國技術的企業進行代工的方式。這使缺少市場的國產自主晶片企業生存舉步維艱,其產品的競爭力因此提升緩慢,同時也令使用國外技術晶片的科技企業早已開始滑向今日的危機。特別是美國並不是從一開始就實行今天對華為的這種全面管制封鎖,而是用罰款、晶片禁運、使用美國技術不超過25%等一系列手段一步步逼近,是現實版的“登門檻效應”和“圍師必闕”,讓中國企業將短期的生存寄希望於兩國的談判,並在達成表面的和解後又放松下來。

  目前的情形,類似於毛澤東同志《論持久戰》中作出的判斷:對手不會速勝,我們不會速敗;但我們現在也沒有能力實現速勝,必須堅持積累實力,利用對手無力持久消耗的短板,打持久戰、消耗戰,贏得最終的勝利。美國的短板,是其國內的晶片企業及其他領域企業依賴來自中國市場的訂單,才能維持巨額的科研投入,保持領先優勢。對中國企業實施管制封鎖的政策措施,只能穫得一時之快,但那種違背國際經貿基本規則,嚴重威脅全球產業鏈、供應鏈安全的錯誤行徑,最終只會讓美國企業和公民承擔惡果。現在我們應該做的,就是徹底拋棄談判緩和的幻想,全力發展國產自主替代,使我國未來產生更多像華為一樣在世界上取得成功的自主科技企業。

  二、對策和建議

  1﹒談判可以繼續,但絕不能在和解後又放松下來。建議首先一定要徹底拋棄透過談判取得緩和的幻想,由國家,全力推進晶片等“卡脖子”領域的國產自主替代工作,更好發揮政府作用,有效彌補市場失靈。加大“大基金”對半導體產業各領域的統籌協調和扶持力度,包括原材料、光刻機、覆蓋薄膜沉積(PVD、CVD等)、刻蝕機以及各種EDA軟體等,減少重複建設和資金障礙等問題;對國產自主產品進一步減免增值稅;加強知識產權保護。

  2. 建議國家推動國有資本更多投向半導體領域,服務國家戰略目標。在根據國家晶片安全需要,由國有資本對半導體民營企業進行兼併重組;並為科研人員提供靈活的激勵機制,引導科研人員將個人發展與國家需要相結合,用社會尊重和社會價值的自我實現激發人才創造力。

本文來源:網易科技報道 責任編輯:喬俊婧_NBJ11279

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