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科技界最新突破性進展:原子級別存儲器!

  在科學家的努力下,已經造出了世界最小的存儲單元,其尺寸真的是小到讓人驚歎。

  據外媒New Atlas報道,得克薩斯大學的工程師們創造了有史以來最小的記憶存儲設備之一,由一種二維材料制成,橫截面面積只有一平方納米。

  這種被稱為 “原子電阻”的裝置是透過單個原子的運動來工作的,這將為具有難以置信的資訊密度的更小的記憶系統鋪平道路。

  這種新設備屬於一類新興的電子器件,稱為記憶電阻(Memristors),它使用電阻開關存儲數據。從本質上講,當某種材料暴露在一定的電壓下時,其電阻可以切換,變得更強或更弱。這種現象可用於將數據寫入設備,隨後可測量其相對電阻以“讀取”存儲的數據。

  該團隊表示,新裝置是有史以來最小的原子存儲器單元。二硫化鉬被制作成尺寸為1×1納米的薄片,厚度只有一個原子。 如果要擴大規模,它可以用來製造每平方厘米約25TB的存儲容量的晶片,這比目前的閃存所能提供的容量高100倍左右。它運行所需的能量也更少

  【來源:快科技】【作者:雪花】

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