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2012-12-19 00:15 出處:PConline原創 作者:墨煙離 責任編輯:xiongxuehui

  【PConline 資訊】根據最新消息,IBM和英特爾將展開在22nm 3D晶體管研發上的激烈競爭,在三藩市舉辦的IDEM2012大會,IBM和英特爾各自公佈了最新的進展,IBM表示其22nm制程工藝的3D晶體管將會比32nm的腰提升25%-35%的性能,英特爾則是表示其22nm的處理器相比32nm要提升20%到65%的性能。

  IDEM,國際電子設備大會,有著60餘年的歷史,匯聚著處理器晶片、記憶體等的設計、技術等最新熱點。作為晶片設計界的兩大帶頭企業,IBM與英特爾自然是在本次大會上爭相出鏡,在三藩市舉行的IDEM2012大會上公佈3D晶片的一些技術細節。

IDEM2012
IDEM2012

  3D晶體管,指的是FinFET晶體管,英特爾最近推出的22nm三柵極晶體管也是屬於此類晶體管。傳統標準的晶體管—場效晶體管 (Field-effecttransistor;FET),其控制電流透過的閘門,只能在閘門的一側控制電路的接通與斷開,屬於平面的結構。而FinFET則是一種3D結構,全名為FinField-effecttransistor,鰭式場效晶體管。透過類似魚鰭的叉狀3D結構的閘門,來控制電路的接通與斷開。

  FinFET的發明人為美籍華人胡正明(Chenming Hu)。胡正明於1947年生於北京,現任美國加州大學伯克利分校傑出講座教授、北京大學電腦科學技術系兼職教授、中國科學院微電子所榮譽教授、台灣交通大學(新竹)微電子器件榮譽教授。

FinFET
FinFET

  由於FinFET的研究,胡正明在2000年穫得美國國防部高級研究項目局最傑出技術成就獎(DARPA Most Outstanding Technical Accomplishment Award)。

FinFET
FinFET

  胡正明介紹到,普通三極管漏電流大,功耗大,工藝複雜,而FinFET的出現改善了這些問題,它工藝簡單,體積小巧,成為MOSFET發展的新方向。>>

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